PMEG2010ET,215 Цэнаўтварэнне (USD) [772712шт шт]
- 1 pcs$0.04787
- 3,000 pcs$0.04365
- 6,000 pcs$0.04100
- 15,000 pcs$0.03836
- 30,000 pcs$0.03527
- Частка нумар:
- PMEG2010ET,215
- Вытворца:
- Nexperia USA Inc.
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 20V 1A
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. PMEG2010ET,215. PMEG2010ET,215 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
PMEG2010ET,215 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
PMEG2010ET,215
Вытворца :
Nexperia USA Inc.
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT23
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
20V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
500mV @ 1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
200µA @ 20V
Ёмістасць @ Vr, F :
80pF @ 1V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-236AB
Працоўная тэмпература - развязка :
150°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Гарачыя часткі
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18