Vishay Siliconix - SI2323DS-T1

KEY Part #: K6406616

[1258шт шт]


    Частка нумар:
    SI2323DS-T1
    Вытворца:
    Vishay Siliconix
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI2323DS-T1. SI2323DS-T1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI2323DS-T1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SI2323DS-T1
    Вытворца : Vishay Siliconix
    Апісанне : MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
    Серыя : TrenchFET®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.7A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 19nC @ 4.5V
    Vgs (макс.) : ±8V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1020pF @ 10V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 750mW (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23-3 (TO-236)
    Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRLR024ZTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.

    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TP0610K-T1

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23.

    • 2N7002E

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.

    • SI2323DS-T1

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23.