Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. Памяць
  5. W947D6HBHX5E TR

Winbond Electronics - W947D6HBHX5E TR

KEY Part #: K942569

W947D6HBHX5E TR Цэнаўтварэнне (USD) [49022шт шт]

  • 1 pcs$1.64822
Частка нумар:
W947D6HBHX5E TR
Вытворца:
Winbond Electronics
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Збор дадзеных - лічбавыя патэнцыяметры, Убудаваны - Мікрапрацэсары, Логіка - Памяць FIFO, Спецыялізаваныя ІС, Убудаваны - CPLDs (складаныя праграмуемыя лагічныя, Логіка - зменныя рэестры, Інтэрфейс - Фільтры - Актыўны and PMIC - Бягучае рэгуляванне / кіраванне ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Winbond Electronics W947D6HBHX5E TR. W947D6HBHX5E TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D6HBHX5E TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : W947D6HBHX5E TR
Вытворца : Winbond Electronics
Апісанне : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM - Mobile LPDDR
Памер памяці : 128Mb (8M x 16)
Тактовая частата : 200MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns
Час доступу : 5ns
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 1.7V ~ 1.95V
Працоўная тэмпература : -25°C ~ 85°C (TC)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 60-TFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 60-VFBGA (8x9)

Апошнія навіны

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP032A-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R

  • 25LC512-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT

  • 602-10001

    Parallax Inc.

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ.

  • W25Q128FWSIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Гарачыя часткі