Частка нумар :
VS-GT400TH60N
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Канфігурацыя :
Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
530A
Магутнасць - Макс :
1600W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
2.05V @ 15V, 400A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
5mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
30.8nF @ 30V
Працоўная тэмпература :
175°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет / футляр :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Пакет прылад пастаўшчыка :
Double INT-A-PAK