ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42RM16800H-75BLI-TR

KEY Part #: K939412

Падрабязнае апісанне:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Логіка - шлапакі, Убудаваны - FPGA (палявая праграмуемая брама) з мі, PMIC - Вымярэнне энергіі, Логіка - Гейтс і інвертары - шматфункцыянальныя, н, PMIC - кантролеры гарачай замены, PMIC - Паказаць драйверы, Інтэрфейс - аналагавыя перамыкачы, мультыплексары, and Лінейныя - параўнальнікі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-75BLI-TR. IS42RM16800H-75BLI-TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : IS42RM16800H-75BLI-TR

Вытворца : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Апісанне : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып памяці : Volatile

Фармат памяці : DRAM

Тэхналогіі : SDRAM - Mobile

Памер памяці : 128Mb (8M x 16)

Тактовая частата : 133MHz

Час цыкла напісання - слова, старонка : -

Час доступу : 6ns

Інтэрфейс памяці : Parallel

Напружанне - падача : 2.3V ~ 2.7V

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 85°C (TA)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : 54-TFBGA

Пакет прылад пастаўшчыка : 54-TFBGA (8x8)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

CAV25M01YE-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.