VS-4ESH02-M3/87A Цэнаўтварэнне (USD) [492735шт шт]
- 1 pcs$0.07922
- 6,500 pcs$0.07882
- Частка нумар:
- VS-4ESH02-M3/87A
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 200V
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - IGBT - масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-4ESH02-M3/87A. VS-4ESH02-M3/87A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
VS-4ESH02-M3/87A Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
VS-4ESH02-M3/87A
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Серыя :
FRED Pt®
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
4A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
930mV @ 4A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
25ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
2µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-277, 3-PowerDFN
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-277A (SMPC)
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SR10200-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers VR=200V, IO=10A
-
SR10150-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers VR=150V, IO=10A
-
V12P45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 45V, SMPC AEC-Q101 Qualified
-
S4PBHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A. Rectifiers 4A, 100V, SMPC STD, SM Rect
-
AR4PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A. Rectifiers 4A 800V
-
V10P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 10A Single Die SMPC (TO-277A)
Гарачыя часткі
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54