TRS12N65D,S1F Цэнаўтварэнне (USD) [16652шт шт]
- 1 pcs$2.61166
- 30 pcs$2.59866
- Частка нумар:
- TRS12N65D,S1F
- Вытворца:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65D,S1F. TRS12N65D,S1F можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
TRS12N65D,S1F Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
TRS12N65D,S1F
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Канфігурацыя дыёда :
1 Pair Common Cathode
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) :
6A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.7V @ 6A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
90µA @ 650V
Працоўная тэмпература - развязка :
175°C (Max)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
TO-247-3
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-247
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
MBR2040CT-G
Comchip Technology
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V, 20A
-
MBR20150CT-G
Comchip Technology
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY RECT 20A 150V
-
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 85V, 200mW
-
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
-
Гарачыя часткі
- F1827RD1600
- MDA72-14N1B
- HN1D02FU(T5L,F,T)
- MMBD3004BRM-7
- UGE10DCT-E3/45
- BYV32G-200,127
- UHF20FCTL-801E3/72
- DD82S08KHPSA1
- MBRB30H35CTHE3_A/P
- CMPD3003S BK
- QRC0630R30
- VS-20CTQ040STRRPBF
- VS-16CTQ060GPBF
- FST153100A
- CPT60035D
- VS-MBRD650CTTRRPBF
- NRVBB30H30CT-1G
- MBR40H35CT-E3/45
- MBR30H100CTHE3/45
- MBR2035CTHE3/45
- FEPF6CTHE3/45
- SBLB25L20CTHE3/81
- MBRB25H60CT-E3/81
- MBR30H60CTG
- DSEI2X30-06P
- FST30100E3
- FEP16DT
- STTH2003CG
- F1857CAD1600
- MURD620CTTRL
- VSKD600-12
- 83CNQ100A
- 48CTQ060
- BYQ28X-200,127
- FEPB16ATHE3/81
- UGB10GCTHE3/81
- MPE-220AVR
- UGF18CCT-E3/45
- UGF10FCT-E3/45
- VS-10CVH02-M3/I