Vishay Semiconductor Diodes Division - BY458TAP

KEY Part #: K6439002

BY458TAP Цэнаўтварэнне (USD) [477149шт шт]

  • 1 pcs$0.07791
  • 25,000 pcs$0.07752

Частка нумар:
BY458TAP
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE AVALANCHE 1.2KV 2A SOD57. Rectifiers 1200 Volt 2.0 Amp 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BY458TAP. BY458TAP можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BY458TAP Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BY458TAP
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE AVALANCHE 1.2KV 2A SOD57
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.6V @ 3A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 3µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : SOD-57, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : SOD-57
Працоўная тэмпература - развязка : 140°C (Max)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • APT15DQ100KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, TO-220, RoHS

  • APT15D120KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1200V, 15A, TO-220, RoHS

  • APT15D100KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, 15A, TO-220, RoHS

  • 1N4448 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL DIODE

  • BAS521,115

    Nexperia USA Inc.

    DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching 300V 250mA

  • BAS521,135

    Nexperia USA Inc.

    DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching HI VOLTAGE SWITCHING DIODE 300V 625mA