Vishay Semiconductor Diodes Division - SE20AFG-M3/6B

KEY Part #: K6458251

SE20AFG-M3/6B Цэнаўтварэнне (USD) [1006146шт шт]

  • 1 pcs$0.03879
  • 14,000 pcs$0.03860

Частка нумар:
SE20AFG-M3/6B
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division SE20AFG-M3/6B. SE20AFG-M3/6B можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE20AFG-M3/6B Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SE20AFG-M3/6B
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1.3A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 2A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 1.2µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 400V
Ёмістасць @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-221AC, SMA Flat Leads
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-221AC (SlimSMA)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • U1C-E3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM