RF05VAM1STR Цэнаўтварэнне (USD) [1383043шт шт]
- 1 pcs$0.03225
- 3,000 pcs$0.03209
- Частка нумар:
- RF05VAM1STR
- Вытворца:
- Rohm Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 500MA TUMD2M. Rectifiers 100V Vrm 0.5A Io Recovery Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RF05VAM1STR. RF05VAM1STR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
RF05VAM1STR Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
RF05VAM1STR
Вытворца :
Rohm Semiconductor
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 500MA TUMD2M
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
500mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
980mV @ 500mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
25ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
2-SMD, Flat Lead
Пакет прылад пастаўшчыка :
TUMD2M
Працоўная тэмпература - развязка :
150°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
CDSV-20-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW
-
CDBV140-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A
-
SE30PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA
-
VS-2EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr
-
VS-2EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr
-
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101
Гарачыя часткі
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18