Vishay Siliconix - SI4808DY-T1-GE3

KEY Part #: K6521866

SI4808DY-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [103241шт шт]

  • 1 pcs$0.38063
  • 2,500 pcs$0.37874

Частка нумар:
SI4808DY-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI4808DY-T1-GE3. SI4808DY-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4808DY-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI4808DY-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Серыя : LITTLE FOOT®
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA (Min)
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 20nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Магутнасць - Макс : 1.1W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • J175

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 30V 0.35W TO92.

  • 2N5460G

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 40V 0.35W TO92.

  • 2N5461G

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 40V 0.35W TO92.

  • 2N5457G

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.31W TO92.

  • 2N5458G

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.31W TO92.

  • PN4391

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 625MW TO92.