Microsemi Corporation - JAN1N1206A

KEY Part #: K6445535

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA. Rectifiers Rectifier

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JAN1N1206A. JAN1N1206A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : JAN1N1206A

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

Серыя : Military, MIL-PRF-19500/260

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 12A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.35V @ 38A

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 600V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Chassis, Stud Mount

Пакет / футляр : DO-203AA, DO-4, Stud

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-203AA (DO-4)

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

C2D05120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.
VS-20ETF04FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
BAT54WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.
IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.
IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.
IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

Гарачыя часткі