TPUH6J S1G Цэнаўтварэнне (USD) [387411шт шт]
- 1 pcs$0.09547
- Частка нумар:
- TPUH6J S1G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Ultra Fast Rectifier 600v 6Amp
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation TPUH6J S1G. TPUH6J S1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
TPUH6J S1G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
TPUH6J S1G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
6A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
3V @ 6A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
45ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-277, 3-PowerDFN
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-277A (SMPC)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
-
VS-8EWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
Гарачыя часткі
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08