Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. Памяць
  5. MT29F4G08ABBEAM70M3WC1

Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABBEAM70M3WC1

KEY Part #: K937089

MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 Цэнаўтварэнне (USD) [15874шт шт]

  • 1 pcs$2.85574
Частка нумар:
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Вытворца:
Micron Technology Inc.
Падрабязнае апісанне:
IC FLASH 4G PARALLEL WAFER. NAND Flash SLC 4G Die 512MX8
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Інтэрфейс - аналагавыя перамыкачы, мультыплексары,, Інтэрфейс - Модулі, PMIC - Напружанне, Інтэрфейс - запіс і прайграванне галасы, Памяць - Proms налады для FPGA, Інтэрфейс - Тэлекам, Збор дадзеных - Кантролеры з сэнсарным экранам and Логіка - Памяць FIFO ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAM70M3WC1. MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Вытворца : Micron Technology Inc.
Апісанне : IC FLASH 4G PARALLEL WAFER
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Non-Volatile
Фармат памяці : FLASH
Тэхналогіі : FLASH - NAND
Памер памяці : 4Gb (512M x 8)
Тактовая частата : -
Час цыкла напісання - слова, старонка : -
Час доступу : -
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 1.7V ~ 1.95V
Працоўная тэмпература : 0°C ~ 70°C (TA)
Тып мантажу : -
Пакет / футляр : -
Пакет прылад пастаўшчыка : -

Апошнія навіны

Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron NAND-Based MCP
Micron LPDRAM
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron NAND Flash
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MR25H256CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8SOP.

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

Гарачыя часткі