Infineon Technologies - BTS110NKSA1

KEY Part #: K6409926

[113шт шт]


    Частка нумар:
    BTS110NKSA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 100V 10A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BTS110NKSA1. BTS110NKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BTS110NKSA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : BTS110NKSA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
    Серыя : TEMPFET®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
    Vgs (макс.) : -
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 600pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : -
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
    Пакет / футляр : TO-220-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.