Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - Мастовыя выпрамнікі
  5. MSDM200-12

Microsemi Corporation - MSDM200-12

KEY Part #: K6541525

[12346шт шт]

    Частка нумар:
    MSDM200-12
    Вытворца:
    Microsemi Corporation
    Падрабязнае апісанне:
    BRIDGE RECT 3P 1.2KV 200A M3-1.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation MSDM200-12. MSDM200-12 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MSDM200-12 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : MSDM200-12
    Вытворца : Microsemi Corporation
    Апісанне : BRIDGE RECT 3P 1.2KV 200A M3-1
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Three Phase
    Тэхналогіі : Standard
    Напруга - максімальная рэверсія (макс.) : 1.2kV
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 200A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.45V @ 200A
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 500µA @ 1200V
    Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Chassis Mount
    Пакет / футляр : M3-1
    Пакет прылад пастаўшчыка : M3-1

    Апошнія навіны

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • MBL106S-M3/I

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A 4SMD.

    • DBD10G-E

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.

    • NSR1030QMUTAG

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 30V 1A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30 V SCHOTTKY FULL

    • NSR2030QMUTAG

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 30V 2A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 30 V SCHOTTKY FUL

    • DBA500G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A.

    • DBA40G-K20

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    Гарачыя часткі