Vishay Siliconix - SUP70060E-GE3

KEY Part #: K6398984

SUP70060E-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [40837шт шт]

  • 1 pcs$0.95745
  • 10 pcs$0.86421
  • 100 pcs$0.69434
  • 500 pcs$0.54005
  • 1,000 pcs$0.44747

Частка нумар:
SUP70060E-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 131A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SUP70060E-GE3. SUP70060E-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUP70060E-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SUP70060E-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 131A TO-220
Серыя : ThunderFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 131A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 81nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3330pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 200W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • TK40A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220.