Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB8JTHE3/81

KEY Part #: K6456273

UGB8JTHE3/81 Цэнаўтварэнне (USD) [93417шт шт]

  • 1 pcs$0.41856
  • 800 pcs$0.39203

Частка нумар:
UGB8JTHE3/81
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 25ns 65 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8JTHE3/81. UGB8JTHE3/81 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB8JTHE3/81 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : UGB8JTHE3/81
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.75V @ 8A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 30µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263AB
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MMBD4148-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V

  • SMBD914E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A

  • FYV0704SMTF

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23-3.

  • CDBV1100-HF

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 100V HALOGEN-FREE

  • SD103AW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 350 mA 40 Volt

  • SD103AW-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM