Comchip Technology - 1N4007B-G

KEY Part #: K6442795

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41. Rectifiers DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Comchip Technology 1N4007B-G. 1N4007B-G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 1N4007B-G

Вытворца : Comchip Technology

Апісанне : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1000V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 1A

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 1000V

Ёмістасць @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : DO-204AL, DO-41, Axial

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-41

Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-8EWS12SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.
VS-8EWS16SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.
VS-8EWF12SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.
VS-8EWS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.
VS-8EWF10SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252.
VS-8EWF04SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO252.