EGP10DE-E3/54 Цэнаўтварэнне (USD) [682537шт шт]
- 1 pcs$0.05719
- 5,500 pcs$0.05690
- Частка нумар:
- EGP10DE-E3/54
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL. Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Тырыстары - TRIAC ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10DE-E3/54. EGP10DE-E3/54 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
EGP10DE-E3/54 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
EGP10DE-E3/54
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Серыя :
SUPERECTIFIER®
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
950mV @ 1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F :
22pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-204AL, DO-41, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-204AL (DO-41)
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM07-400-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt
-
EGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns
-
BYM07-150-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
Гарачыя часткі
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215