Infineon Technologies - IPB031NE7N3GATMA1

KEY Part #: K6418173

IPB031NE7N3GATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [54322шт шт]

  • 1 pcs$0.71979
  • 1,000 pcs$0.66042

Частка нумар:
IPB031NE7N3GATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPB031NE7N3GATMA1. IPB031NE7N3GATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB031NE7N3GATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPB031NE7N3GATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 75V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.8V @ 155µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 117nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 8130pF @ 37.5V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 214W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO263-3-2
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • TK6A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS.

  • TK9A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS.