Sanken - RO 2BV1

KEY Part #: K6457113

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - IGBT - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Sanken RO 2BV1. RO 2BV1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : RO 2BV1

Вытворца : Sanken

Апісанне : DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 800V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1.2A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 920mV @ 1.5A

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 800V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : Axial

Пакет прылад пастаўшчыка : -

Працоўная тэмпература - развязка : -40°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

BAS16

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns
VS-8EVL06-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.
VS-8EVX06-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.
VS-8EVH06-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED
VS-6EVL06-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 6A SlimDPAK FRED
VS-6EVH06-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 6A SlimDPAK FRED