Vishay Siliconix - SQJ457EP-T1_GE3

KEY Part #: K6418457

SQJ457EP-T1_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [198900шт шт]

  • 1 pcs$0.18596
  • 3,000 pcs$0.15714

Частка нумар:
SQJ457EP-T1_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQJ457EP-T1_GE3. SQJ457EP-T1_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ457EP-T1_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQJ457EP-T1_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 36A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3400pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 68W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр : PowerPAK® SO-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.