1N5407-T Цэнаўтварэнне (USD) [714995шт шт]
- 1 pcs$0.05233
- 1,200 pcs$0.05207
- 2,400 pcs$0.04686
- 6,000 pcs$0.04426
- 12,000 pcs$0.04035
- 30,000 pcs$0.03775
- Частка нумар:
- 1N5407-T
- Вытворца:
- Diodes Incorporated
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Rectifiers DO-201AD 3A 800V
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated 1N5407-T. 1N5407-T можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
1N5407-T Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
1N5407-T
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
800V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1V @ 3A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 800V
Ёмістасць @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-201AD, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-201AD
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt
-
RS07K-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 800V 500MA DO219AB. Rectifiers 1.3V 2uA 300ns
-
SE10FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
-
S07J-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS
-
SS1FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
-
1N914TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 300mA
Гарачыя часткі
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18