Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя
  5. BYV30B-600PJ

WeEn Semiconductors - BYV30B-600PJ

KEY Part #: K6440505

[3795шт шт]

    Частка нумар:
    BYV30B-600PJ
    Вытворца:
    WeEn Semiconductors
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK. Rectifiers BYV30B-600PJ/TO263
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы and Модулі драйвераў харчавання ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах WeEn Semiconductors BYV30B-600PJ. BYV30B-600PJ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV30B-600PJ Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : BYV30B-600PJ
    Вытворца : WeEn Semiconductors
    Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    Серыя : -
    Статус часткі : Active
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 30A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.55V @ 30A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 75ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 600V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
    Працоўная тэмпература - развязка : 175°C (Max)
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • VS-80APS08-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

    • V20100S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • EGP20B-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 100 Volt 2.0A 50ns Glass Passivated

    • EGP20G-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt

    • RGP15K-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC. Rectifiers 800 Volt 1.5A 500ns 50 Amp IFSM

    • RGP15M-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5A 500ns 50 Amp IFSM

    Гарачыя часткі