Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - масівы
  5. MURTA400120

GeneSiC Semiconductor - MURTA400120

KEY Part #: K6468865

MURTA400120 Цэнаўтварэнне (USD) [768шт шт]

  • 1 pcs$60.52443
  • 18 pcs$36.55488
Частка нумар:
MURTA400120
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 400A Si Super Fast Recovery
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MURTA400120. MURTA400120 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA400120 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MURTA400120
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Серыя : -
Статус часткі : Active
Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Cathode
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 200A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 2.6V @ 200A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 25µA @ 1200V
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Three Tower
Пакет прылад пастаўшчыка : Three Tower
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RURD620CCS9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 200V 6A DPAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 6A ULTRAFAST DUAL DIODES

  • LXA08T600C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220. Rectifiers X-Series 600V 4A Dual Low Qrr

  • BAS7004E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23.

  • BAS7005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diode

  • BAT5406E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 0.2A

  • BAS4005E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

Гарачыя часткі