| Выява | Ключавая частка / Вытворца | Апісанне / PDF | Колькасць / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A. |
8740шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A. |
8738шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A. |
8738шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B. |
6553шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A. |
8738шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A. |
8737шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
TRANS S-BAND PWR LDMOS SOM038. |
8737шт шт |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET 28V SOT895A. |
8737шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143. |
8735шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 15MA SOT23. |
8735шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP. |
8735шт шт |
|
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 20V 30MA SOT23. |
6553шт шт |
 |
Cree/Wolfspeed |
FET RF LDMOS 150W H36248-2. |
8734шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
IC RF SWITCH SOT143B. |
8734шт шт |
|
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 150W H36248-2. |
8734шт шт |
|
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 220W H33288-3. |
6553шт шт |
|
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 220W H33288-2. |
8733шт шт |
|
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 240W H33288-2. |
8733шт шт |
|
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 240W H33288-2. |
8733шт шт |
|
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 170W H36248-2. |
8733шт шт |
Старонкі класіфікацыі
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка107
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка108
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка109
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка110
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка111
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка112
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка113
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка114
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка115
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка116
success