Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, PD20010STR-E, BLF6G10LS-160RN11, 116

Ключавая частка / Вытворца	Апісанне / PDF	Колькасць / RFQ
SD2933-03 STMicroelectronics	TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177.	8710шт шт
PD20010STR-E STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR.	8710шт шт
BLF6G10LS-160RN,11 Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B.	8710шт шт
BLF6G22LS-180RN:11 Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B.	8710шт шт
PTFA261702E V1 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4.	8708шт шт
PTFA261301F V1 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2.	8708шт шт
PTFA260851F V1 R250 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2.	8708шт шт
PTFA260851F V1 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2.	8708шт шт
PTFA260851E V1 Infineon Technologies	FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2.	6550шт шт
PTFA260851E V1 R250 Infineon Technologies	FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2.	8707шт шт
PTFA241301F V1 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2.	8707шт шт
PTFA212401F V4 R250 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2.	8707шт шт
PTFA240451E V1 R250 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2.	8707шт шт
PTFA212401F V4 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2.	8706шт шт
PTFA212401E V4 R250 Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2.	6550шт шт
PTFA212001F/1 P4 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2.	8706шт шт
PTFA212401E V4 Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2.	8706шт шт
PTFA212001FV4XWSA1 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2.	8704шт шт
PTFA212001FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2.	8704шт шт
PTFA212001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2.	8704шт шт

Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ

Старонкі класіфікацыі