Выява | Ключавая частка / Вытворца | Апісанне / PDF | Колькасць / RFQ |
---|---|---|---|
Samsung Semiconductor |
DDR3 SODIMM 4 GB 1R x 8 1600 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 8 EOL. |
25159шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR3 SODIMM 4 GB 1R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 8 EOL. |
24924шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR3 SODIMM 2 GB 1R x 16 1600 Mbps 1.35 V 204 (256M x 16) x 4 EOL. |
21953шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR3 SODIMM 2 GB 1R x 16 1866 Mbps 1.35 V 204 (256M x 16) x 4 EOL. |
20955шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL. |
24845шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL. |
21068шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL. |
16743шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL. |
19582шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Mass Production. |
20501шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 9 Sample. |
16583шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 9 Sample. |
20482шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Mass Production. |
25487шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 16 GB 2R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Mass Production. |
25688шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 16 GB 2R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Sample. |
24807шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 16 GB 2R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Sample. |
19793шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 32 GB 2R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260 (2G x 8) x 18 Sample. |
23617шт шт |
|
Samsung Semiconductor |
DDR4 ECC SODIMM 32 GB 2R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (2G x 8) x 18 Sample. |
18397шт шт |