Microsemi Corporation - APTM120H57FTG

KEY Part #: K6522996

[4312шт шт]


    Частка нумар:
    APTM120H57FTG
    Вытворца:
    Microsemi Corporation
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Транзістары - JFET ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTM120H57FTG. APTM120H57FTG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120H57FTG Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : APTM120H57FTG
    Вытворца : Microsemi Corporation
    Апісанне : MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
    Функцыя FET : Standard
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 17A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 684 mOhm @ 8.5A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 187nC @ 10V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 5155pF @ 25V
    Магутнасць - Макс : 390W
    Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Chassis Mount
    Пакет / футляр : SP4
    Пакет прылад пастаўшчыка : SP4

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5810TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

    • FDY2000PZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

    • DMN2040LTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

    • DMN2019UTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

    • DMG8822UTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

    • AO8801AL

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.