NXP USA Inc. - PMDPB28UN,115

KEY Part #: K6523772

[4664шт шт]


    Частка нумар:
    PMDPB28UN,115
    Вытворца:
    NXP USA Inc.
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Модулі драйвераў харчавання and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах NXP USA Inc. PMDPB28UN,115. PMDPB28UN,115 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMDPB28UN,115 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : PMDPB28UN,115
    Вытворца : NXP USA Inc.
    Апісанне : MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
    Функцыя FET : Logic Level Gate
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 4.7nC @ 4.5V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 265pF @ 10V
    Магутнасць - Макс : 510mW
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : 6-UDFN Exposed Pad
    Пакет прылад пастаўшчыка : DFN2020-6

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • FDG6318P

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

    • UPA1764G-E2-AZ

      Renesas Electronics America

      MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC.

    • TMC1340-SO

      Trinamic Motion Control GmbH

      MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC.

    • SI4618DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

    • SP8M4FU6TB

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.