Частка нумар :
SQJ262EP-T1_GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Магутнасць - Макс :
27W (Tc), 48W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
PowerPAK® SO-8 Dual
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric