Vishay Siliconix - SI4943CDY-T1-GE3

KEY Part #: K6525171

SI4943CDY-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [107279шт шт]

  • 1 pcs$0.34478
  • 2,500 pcs$0.32302

Частка нумар:
SI4943CDY-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-GE3. SI4943CDY-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4943CDY-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI4943CDY-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 P-Channel (Dual)
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 62nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1945pF @ 10V
Магутнасць - Макс : 3.1W
Працоўная тэмпература : -50°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.