Частка нумар :
DMN3009LFVW-13
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
60A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
42nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
2000pF @ 15V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount, Wettable Flank
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerDI3333-8 (Type UX)
Пакет / футляр :
8-PowerVDFN