Diodes Incorporated - DMN3009LFVW-13

KEY Part #: K6394135

DMN3009LFVW-13 Цэнаўтварэнне (USD) [339977шт шт]

  • 1 pcs$0.10879

Частка нумар:
DMN3009LFVW-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN3009LFVW-13. DMN3009LFVW-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3009LFVW-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN3009LFVW-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 60A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2000pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount, Wettable Flank
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerDI3333-8 (Type UX)
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.