Infineon Technologies - BSC079N03SG

KEY Part #: K6400826

[3263шт шт]


    Частка нумар:
    BSC079N03SG
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - JFET ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSC079N03SG. BSC079N03SG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSC079N03SG Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : BSC079N03SG
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
    Серыя : OptiMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 14.6A (Ta), 40A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 40A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 30µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 17nC @ 5V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2230pF @ 15V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.8W (Ta), 60W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TDSON-8
    Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • IPB04N03LAT

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • SPB02N60S5ATMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.