Частка нумар :
SUD50P04-23-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
8.2A (Ta), 20A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
65nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1880pF @ 20V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-252, (D-Pak)
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63