Diodes Incorporated - DMN2400UFDQ-7

KEY Part #: K6402322

DMN2400UFDQ-7 Цэнаўтварэнне (USD) [2744шт шт]

  • 3,000 pcs$0.04424

Частка нумар:
DMN2400UFDQ-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN2400UFDQ-7. DMN2400UFDQ-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2400UFDQ-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN2400UFDQ-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 900mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 0.5nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 37pF @ 16V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 400mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : U-DFN1212-3 (Type C)
Пакет / футляр : 3-PowerUDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў