Vishay Siliconix - SI1489EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6402256

SI1489EDH-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [8795шт шт]

  • 3,000 pcs$0.05312

Частка нумар:
SI1489EDH-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI1489EDH-T1-GE3. SI1489EDH-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1489EDH-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI1489EDH-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 8V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-363
Пакет / футляр : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў