Infineon Technologies - IPB107N20N3GATMA1

KEY Part #: K6417062

IPB107N20N3GATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [24353шт шт]

  • 1 pcs$1.69238

Частка нумар:
IPB107N20N3GATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPB107N20N3GATMA1. IPB107N20N3GATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB107N20N3GATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPB107N20N3GATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 88A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 7100pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.