Infineon Technologies - IPD60R650CEATMA1

KEY Part #: K6402505

[2680шт шт]


    Частка нумар:
    IPD60R650CEATMA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 600V TO-252-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPD60R650CEATMA1. IPD60R650CEATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD60R650CEATMA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IPD60R650CEATMA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 600V TO-252-3
    Серыя : CoolMOS™ CE
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 7A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 20.5nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 440pF @ 100V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 63W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252-3
    Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • CPH6354-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

    • TN0604N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • IRLIZ34NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP.