ON Semiconductor - FQB34N20LTM

KEY Part #: K6392663

FQB34N20LTM Цэнаўтварэнне (USD) [70894шт шт]

  • 1 pcs$0.55429
  • 800 pcs$0.55153

Частка нумар:
FQB34N20LTM
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FQB34N20LTM. FQB34N20LTM можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB34N20LTM Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FQB34N20LTM
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Серыя : QFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 31A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 72nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3900pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў