Microsemi Corporation - 1N5618

KEY Part #: K6440152

1N5618 Цэнаўтварэнне (USD) [13937шт шт]

  • 1 pcs$2.91743
  • 10 pcs$2.60277
  • 25 pcs$2.34258
  • 100 pcs$2.13435
  • 250 pcs$1.92614
  • 500 pcs$1.72832
  • 1,000 pcs$1.45762

Частка нумар:
1N5618
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation 1N5618. 1N5618 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5618 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 1N5618
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 3A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 500nA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : A, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : -
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 200°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SD101BW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 50Volt 2A IFSM

  • SD101CW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 40Volt 2A IFSM

  • GSD2004W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • SD101CW-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 40Volt 2A IFSM

  • SE10FDHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier