Rohm Semiconductor - RD3P100SNTL1

KEY Part #: K6403318

RD3P100SNTL1 Цэнаўтварэнне (USD) [182451шт шт]

  • 1 pcs$0.20273

Частка нумар:
RD3P100SNTL1
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
NCH 100V 10A POWER MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RD3P100SNTL1. RD3P100SNTL1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3P100SNTL1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RD3P100SNTL1
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : NCH 100V 10A POWER MOSFET
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 133 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 700pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 20W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RFD12N06RLESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.

  • FQD12N20LTM-F085P

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 200V 280 MOHM.

  • FDD3706

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK.

  • FDD7N25LZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3.

  • FCD5N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FQD5P10TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK.