Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO4430L_102

KEY Part #: K6412193

[8451шт шт]


    Частка нумар:
    AO4430L_102
    Вытворца:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 30V 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4430L_102. AO4430L_102 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AO4430L_102 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : AO4430L_102
    Вытворца : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Апісанне : MOSFET N-CH 30V 8SOIC
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 124nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 7270pF @ 15V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 3W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOIC
    Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • 2N7000,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.

    • IRFR3412PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRFR15N20DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.

    • IRFR3505PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR3411PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.

    • IRLR3915PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.