Rohm Semiconductor - RCD100N19TL

KEY Part #: K6420506

RCD100N19TL Цэнаўтварэнне (USD) [202426шт шт]

  • 1 pcs$0.20200
  • 2,500 pcs$0.20099

Частка нумар:
RCD100N19TL
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RCD100N19TL. RCD100N19TL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RCD100N19TL Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RCD100N19TL
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Серыя : -
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 190V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2000pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 850mW (Ta), 20W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : CPT3
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў