Vishay Siliconix - IRFBC30AS

KEY Part #: K6414900

[12595шт шт]


    Частка нумар:
    IRFBC30AS
    Вытворца:
    Vishay Siliconix
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRFBC30AS. IRFBC30AS можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFBC30AS Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IRFBC30AS
    Вытворца : Vishay Siliconix
    Апісанне : MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.6A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 510pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 74W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN0545A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

    • IRFR3303TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • IRFR3910TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.

    • 94-4737

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • 94-4007

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRFIZ24G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.