STMicroelectronics - STP6NB90

KEY Part #: K6415898

[12251шт шт]


    Частка нумар:
    STP6NB90
    Вытворца:
    STMicroelectronics
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STP6NB90. STP6NB90 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP6NB90 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : STP6NB90
    Вытворца : STMicroelectronics
    Апісанне : MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
    Серыя : PowerMESH™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 900V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5.8A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 3A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 55nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1400pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 135W (Tc)
    Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
    Пакет / футляр : TO-220-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVNL110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • VN10LP

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • IRLI520NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP.

    • IRLI2910PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP.

    • BSS119L6433HTMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • IRLS3034TRL7PP

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7.