Частка нумар :
IPB16CN10N G
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
53A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.5 mOhm @ 53A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 61µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
48nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
3220pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
100W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB