Vishay Siliconix - IRF9530S

KEY Part #: K6414918

[12589шт шт]


    Частка нумар:
    IRF9530S
    Вытворца:
    Vishay Siliconix
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRF9530S. IRF9530S можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF9530S Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IRF9530S
    Вытворца : Vishay Siliconix
    Апісанне : MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 7.2A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 860pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.7W (Ta), 88W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN0545A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

    • 94-4007

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRLR3103

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

    • IRFIZ24G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

    • IRFIZ34G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP.

    • IRFIBF30G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP.