Частка нумар :
R6002ENDTL
Вытворца :
Rohm Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Статус часткі :
Not For New Designs
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
1.7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
6.5nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
65pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
20W (Tc)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
CPT3
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63